ترک یابی غیر مخرب فلزات بر پایه حسگر امپدانس مغناطیسی بزرگ
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
- author ملیحه رنجبران
- adviser محمدمهدی طهرانچی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1389
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر مبنای امپدانس مغناطیسی بزرگ با استفاده از نوارهای نانوساختار آلیاژی پایه آهن
چکیده ندارد.
15 صفحه اولبررسی وابستگی دمایی امپدانس مغناطیسی بزرگ در نوار و سیم های مغناطیسی کبالت پایه
چکیده ندارد.
15 صفحه اولاثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نوارهای آمورف کبالت پایه
بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آن...
15 صفحه اولطراحی و ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از نانو فروسیال
در این تحقیق حسگر میدان مغناطیسی بصورت مقرون به صرفه و با حساسیت بالا بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از سیال مغناطیسی طراحی شده است. نانوفروسیال توسط آنالیزهای پراش اشعه‌ی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخصه‌یابی شد. حسگرمیدان مغناطیسی با قرار دادن فروسیال حول فیبرهای نوری با طول یکسان وقطر‌های مختلف تهیه شدند. اثر قطر فیبر نوری بر خواص حسگر بصورت تجربی مورد بررسی قرار گرفت. فیبر نوری ...
full textکیفیت‌سنجی غیر مخرب انگور رقم عسگری بر پایه طیفسنجی فروسرخ نزدیک
برای اندازهگیری ویژگیهای کیفی میوهها و سبزیها از روشهای مخرب و غیر مخرب متعددی استفاده میشود. روشهای مخرب عمدتاً هزینهبر و وقتگیر هستند. در این پژوهش، برخی ویژگیهای کیفی میوۀ انگور رقم عسگری شامل مواد جامد حلشدنی (SSC)، اسید قابل تیترکردن (TA)، pH، و فنل کل (TP) با طیفسنجی فروسرخ نزدیک (NIRS) اندازهگیری شدند. بدین منظور از 110 نمونه در دامنۀ طیفی 1700-900 نانومتر طیفسنجی شد و بلافا...
full textبهینه سازی امپدانس مغناطیسی نوارهای مغناطیسی جهت استفاده در ساخت حسگر امپدانس با المان حسگری نانوساختار
حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi امروزه قابلیت خود را در عرصه های گوناگون فناوری نشان داده است. مناسب ترین مواد برای کار در اثر امپدانس مغناطیسی و حسگرهای امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانوبلورین هستند. بهینه سازی ویژگی های مغناطیسی آلیاژهای آمورف جهت دستیابی به پاسخ امپدانسی و حساسیت میدان مناسب به روش های گوناگونی امکان پذیر است؛ در...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023